新聞標題【民報】聯電有條件准登陸設12吋晶圓廠 投資總額13.5億美元史上第二大
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聯電有條件准登陸設12吋晶圓廠 投資總額13.5億美元史上第二大

投審會強調先進製程技術不外流才放行

 2015-01-01 00:04
經濟部投審會趕在2014年最後一天核准聯電赴中國策略性投資設立12吋晶圓廠,由於投資額為史上第二大,投審會強調這樁投資案為有條件通過,且先進製程並未外流。(中央社資料照)
經濟部投審會趕在2014年最後一天核准聯電赴中國策略性投資設立12吋晶圓廠,由於投資額為史上第二大,投審會強調這樁投資案為有條件通過,且先進製程並未外流。(中央社資料照)

經濟部投審會趕在2014年最後一天,正式通過聯電赴中國廈門設立12吋晶圓廠申請案,總投資額為13.5億美元,為史上第二大登陸投資案。投審會強調,同意聯電投資的附帶條件是必須在未來3年具體落實南科12吋晶圓廠,同時國內雇用員工三年內必須新增達3000人,以及未來三年,每年在台資本支出投資必須超過13億元,並保證最佳技術並不外流。

國內半導體業者再次出現鉅額投資中國!趕在2014年最後一天,投審會通過聯電申請以自有資金美金4.5億美元,以及其在中投資事業和艦科技資金2.6億、合計7.1億美金,間接投資聯芯集成電路製造(廈門)有限公司,作為經營12吋晶圓鑄造、積體電路製造及銷售業務。

由於政府並未開放半導體業者直接新設12吋晶圓廠,因此這也是半導體業者第一宗以參股的策略性投資方式在中國參與投資設立12吋晶圓廠的案例,總投資金額更是史上第二大,引起外界關注。

經濟部工業局特別強調,國際大廠如英特爾、三星近年皆往中國移動,聯電此次赴中符合規定,且台灣主要競爭對手三星已經赴中投資最先進的12吋廠1X奈米製程,而聯電目前所擁有最佳技術僅28奈米,赴中投資的則是40與55奈米,因此並無技術外流的疑慮。

此外,投審會也強調,此次審核聯電赴中投資案前,更由經濟部召開關鍵技術小組進行審查,聯電也在會中承諾,未來將在台加碼投資,未來三年每年預計平均資本支出將投入逾13億美元,整體將超過此次赴陸投資總金額13.5億美元;同時也承諾加強研發投入,於南科廠區研發中心開發14奈米與其他利基型產品,同時配合在南科持續擴產,未來三年將新增3000名就業機會,且將逐年增加半導體設備、材料本土採購金額比例。

此次聯電將以自有資金4.5億美元以及中國投資事業和艦的自有資金2.6億元,合計7.1美元,間接投資聯芯集成電路製造(廈門)有限公司。而聯芯公司註冊資本額為20.7億美元,其中聯電5年內將出資13.5億美元,而未來聯芯公司的主要營收即將來自40/55奈米製程技術,而聯電則依規定向聯芯收取技術合作權利金。

 

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